[ImHyp3rıoN]

Kioxia, Sandisk ile ortaklaşa geliştirdiği 10. nesil 3D NAND flaş bellek teknolojisini duyurdu. 332 katmanlı bellek, %33'e kadar daha iyi performans, gelişmiş bit yoğunluğu ve güç verimliliği sunuyor.




Kioxia ve Sandisk, ortaklaşa geliştirdiği 10. nesil 3D NAND flaş bellek teknolojisini duyurdu. Yeni bellek, önceki nesillere kıyasla %33'e kadar daha iyi performans, gelişmiş bit yoğunluğu ve güç verimliliği sunuyor.

Yeni NAND bellek neler sunuyor?
Kioxia'nın yeni 3D flaş belleği, ayrı olarak üretilen bir CMOS plakası ile bir hücre dizisi plakasının birleştirilmesiyle oluşturulan CMOS Directly Bonded to Array (CBA) teknolojisini içeriyor. Bu yenilikçi bir özellik değil, çünkü Kioxia'nın 8. nesil 3D NAND ürünlerinde de yer alıyordu. Ancak asıl öne çıkan yenilik, 4.8 GB/s'ye kadar NAND arayüz hızına izin veren yeni arayüz standardı Toggle DDR6.0 oldu.

Kioxia, 10. neslin 8. nesile göre %33'e kadar daha hızlı olduğunu söylüyor. Yeni nesil bellek, 8. nesle göre katman sayısını da önemli ölçüde arttırarak 218 katmandan 322 katmana çıkarıyor. 322 katman, şirketin 2027'ye kadar 1.000 katmanlı 3D NAND üretme hedefinden oldukça uzak olsa da, yine de etkileyici bir başarı. Kioxia, 322 katmanlı 3D NAND'ın bit yoğunluğunu da %59 artırdığını belirtiyor.

Yeni NAND ayrıca, giriş için güç tüketimini %10 ve çıkış için %34 oranında azaltan Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) teknolojisini içeriyor. Kioxia, güç verimliliğine odaklanmalarının, yapay zeka teknolojilerinin artan güç taleplerinden kaynaklandığını belirtiyor.







kaynak